Transistors - Bipolaires (BJT) - Tableaux

Domicile
Transistors - Bipolaires (BJT) - Tableaux

Microsemi Corporation

JAN2N3810L

stock de pièces: 2580

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N2919L

stock de pièces: 1586

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANSR2N2920U

stock de pièces: 4563

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N6987

stock de pièces: 1339

Type de transistor: 4 PNP (Quad), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 600mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N2920

stock de pièces: 204

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N3811U

stock de pièces: 4458

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N3810U

stock de pièces: 1857

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N3810

stock de pièces: 2500

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N2919U

stock de pièces: 1225

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N3811U

stock de pièces: 4514

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N2920U

stock de pièces: 150

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N3810

stock de pièces: 4455

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N6988

stock de pièces: 1482

Type de transistor: 4 PNP (Quad), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 600mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

SG2823J-DESC

stock de pièces: 4497

Type de transistor: 8 NPN Darlington, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 95V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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Microsemi Corporation

JAN2N3811

stock de pièces: 5723

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N3811L

stock de pièces: 4466

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

SG2023J-883B

stock de pièces: 6449

Type de transistor: 7 NPN Darlington, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 95V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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