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Transistors - Bipolaires (BJT) - Tableaux

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  • Transistors - Bipolaires (BJT) - Tableaux
2N2919U
Microsemi Corporation

2N2919U

stock de pièces: 1529

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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2N3810U
Microsemi Corporation

2N3810U

stock de pièces: 2166

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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2N2060L
Microsemi Corporation

2N2060L

stock de pièces: 2121

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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2N6987
Microsemi Corporation

2N6987

stock de pièces: 1248

Type de transistor: 4 PNP (Quad), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 600mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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2N6988
Microsemi Corporation

2N6988

stock de pièces: 1523

Type de transistor: 4 PNP (Quad), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 600mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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2N2919L
Microsemi Corporation

2N2919L

stock de pièces: 2004

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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2N2920U
Microsemi Corporation

2N2920U

stock de pièces: 161

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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2N3838
Microsemi Corporation

2N3838

stock de pièces: 1633

Type de transistor: NPN, PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 600mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 40V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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2N2920L
Microsemi Corporation

2N2920L

stock de pièces: 2061

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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2N6990
Microsemi Corporation

2N6990

stock de pièces: 1262

Type de transistor: 4 NPN (Quad), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 800mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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2N5795
Microsemi Corporation

2N5795

stock de pièces: 1968

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 600mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

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2N2920
Microsemi Corporation

2N2920

stock de pièces: 2258

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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2N3810L
Microsemi Corporation

2N3810L

stock de pièces: 4091

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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2N2919
Microsemi Corporation

2N2919

stock de pièces: 2136

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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2N3810
Microsemi Corporation

2N3810

stock de pièces: 3259

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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2N6989
Microsemi Corporation

2N6989

stock de pièces: 4437

Type de transistor: 4 NPN (Quad), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 800mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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2N3811L
Microsemi Corporation

2N3811L

stock de pièces: 4456

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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2N3811U
Microsemi Corporation

2N3811U

stock de pièces: 4453

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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2N3811
Microsemi Corporation

2N3811

stock de pièces: 4521

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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JANTXV2N6990
Microsemi Corporation

JANTXV2N6990

stock de pièces: 1050

Type de transistor: 4 NPN (Quad), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 800mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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SG2013J-883B
Microsemi Corporation

SG2013J-883B

stock de pièces: 1020

Type de transistor: 7 NPN Darlington, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 600mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.9V @ 600µA, 500mA, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 900 @ 500mA, 2V,

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SG2003J-JAN
Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

stock de pièces: 4491

Type de transistor: 7 NPN Darlington, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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SG2803J-883B
Microsemi Corporation

SG2803J-883B

stock de pièces: 4488

Type de transistor: 8 NPN Darlington, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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JANTX2N6988
Microsemi Corporation

JANTX2N6988

stock de pièces: 4551

Type de transistor: 4 PNP (Quad), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 600mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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JANTXV2N3811L
Microsemi Corporation

JANTXV2N3811L

stock de pièces: 4513

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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SG2003J-883B
Microsemi Corporation

SG2003J-883B

stock de pièces: 4460

Type de transistor: 7 NPN Darlington, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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JANTXV2N3810
Microsemi Corporation

JANTXV2N3810

stock de pièces: 1613

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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JAN2N2919L
Microsemi Corporation

JAN2N2919L

stock de pièces: 1921

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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JAN2N6987
Microsemi Corporation

JAN2N6987

stock de pièces: 1383

Type de transistor: 4 PNP (Quad), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 600mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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JANTX2N3810U
Microsemi Corporation

JANTX2N3810U

stock de pièces: 1675

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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JANTX2N6987
Microsemi Corporation

JANTX2N6987

stock de pièces: 1284

Type de transistor: 4 PNP (Quad), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 600mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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JANTXV2N3810L
Microsemi Corporation

JANTXV2N3810L

stock de pièces: 163

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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JANTXV2N2920
Microsemi Corporation

JANTXV2N2920

stock de pièces: 1620

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 30mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V,

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JANSR2N3810U
Microsemi Corporation

JANSR2N3810U

stock de pièces: 301

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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JANTX2N2060L
Microsemi Corporation

JANTX2N2060L

stock de pièces: 980

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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JAN2N2060L
Microsemi Corporation

JAN2N2060L

stock de pièces: 1262

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 10µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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