Diodes - Redresseurs - Simples

IDC05S60CEX1SA1

stock de pièces: 2377

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 5A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDH02G65C5XKSA1

stock de pièces: 5266

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 2A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDK09G65C5XTMA1

stock de pièces: 2371

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 9A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 9A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDC08S60CEX1SA2

stock de pièces: 2399

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 8A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDL02G65C5XUMA1

stock de pièces: 2331

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 2A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDP30E120XKSA1

stock de pièces: 34878

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 50A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.15V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 243ns,

IDB06S60CATMA2

stock de pièces: 2626

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 6A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IRD3CH101DB6

stock de pièces: 2341

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.7V @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 360ns,

IRD3CH24DF6

stock de pièces: 2382

IDK12G65C5XTMA1

stock de pièces: 2311

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 12A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDC04S60CEX7SA1

stock de pièces: 2434

IDL04G65C5XUMA1

stock de pièces: 2353

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 4A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDW75E60FKSA1

stock de pièces: 1516

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 120A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2V @ 75A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 121ns,

IDK06G65C5XTMA1

stock de pièces: 2335

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 6A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IRD3CH11DF6

stock de pièces: 2342

IDW40G65C5XKSA1

stock de pièces: 4319

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 40A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDC08S60CEX7SA1

stock de pièces: 2440

IDW15S120FKSA1

stock de pièces: 2436

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 15A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDH12G65C5XKSA1

stock de pièces: 2289

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 12A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

D1050N14TXPSA1

stock de pièces: 2299

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1050A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1000A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH12G65C6XKSA1

stock de pièces: 12700

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 27A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.35V @ 12A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IRD3CH82DB6

stock de pièces: 5258

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.7V @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 355ns,

IDL08G65C5XUMA1

stock de pièces: 2367

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 8A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IRD3CH24DD6

stock de pièces: 5312

IDW15E65D2FKSA1

stock de pièces: 41876

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.3V @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 47ns,

IRD3CH53DF6

stock de pièces: 2322

D1050N16TXPSA1

stock de pièces: 2266

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1050A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1000A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH20G65C6XKSA1

stock de pièces: 8465

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 41A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.35V @ 20A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IRD3CH24DB6

stock de pièces: 5317

IRD3CH16DF6

stock de pièces: 2362

IDW10G65C5XKSA1

stock de pièces: 12731

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 10A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IRD3CH101DF6

stock de pièces: 2365

IDK10G65C5XTMA1

stock de pièces: 2337

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 10A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDH16G120C5XKSA1

stock de pièces: 6043

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.95V @ 16A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IRD3CH31DF6

stock de pièces: 2321

IRD3CH42DF6

stock de pièces: 2347