Diodes - Redresseurs - Simples

IRD3CH31DD6

stock de pièces: 2359

D770N14TXPSA1

stock de pièces: 2110

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 770A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.08V @ 400A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDV30E65D2XKSA1

stock de pièces: 46154

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.2V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 42ns,

IDV20E65D1XKSA1

stock de pièces: 47923

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 28A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 42ns,

IDH08G65C6XKSA1

stock de pièces: 18927

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.35V @ 8A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

D770N12TXPSA1

stock de pièces: 2033

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 770A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.08V @ 400A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1050N12TXPSA1

stock de pièces: 2267

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1050A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1000A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDP08E65D1XKSA1

stock de pièces: 67894

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 80ns,

D770N20TXPSA1

stock de pièces: 2099

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 2000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 770A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.08V @ 400A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D820N20TXPSA1

stock de pièces: 2264

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 2000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 820A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 750A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH05G120C5XKSA1

stock de pièces: 13098

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 5A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDH10G120C5XKSA1

stock de pièces: 8281

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 10A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDP15E65D2XKSA1

stock de pièces: 59599

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.3V @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 47ns,

IDW12G65C5XKSA1

stock de pièces: 12018

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 12A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDH20G120C5XKSA1

stock de pièces: 4502

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 56A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 20A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDV06S60CXKSA1

stock de pièces: 1555

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 6A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

HFA15PB60PBF

stock de pièces: 26323

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 60ns,

IDH06G65C5XKSA1

stock de pièces: 1624

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 6A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDW30G65C5FKSA1

stock de pièces: 1668

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 30A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDW10G65C5FKSA1

stock de pièces: 1640

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 10A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDB12E120ATMA1

stock de pièces: 1490

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 28A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.15V @ 12A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

IDP09E120

stock de pièces: 1554

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 23A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.15V @ 9A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 140ns,

IDH20G65C5XKSA1

stock de pièces: 1630

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 20A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDB23E60ATMA1

stock de pièces: 1521

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 41A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2V @ 23A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 120ns,

IDD03SG60CXTMA1

stock de pièces: 1478

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.3V @ 3A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDB15E60

stock de pièces: 1514

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 29.2A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2V @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 87ns,

IDH03G65C5XKSA1

stock de pièces: 1609

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 3A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDV05S60CXKSA1

stock de pièces: 1514

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 5A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDW16G65C5FKSA1

stock de pièces: 5259

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 16A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDP06E60

stock de pièces: 1466

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 14.7A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2V @ 6A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 70ns,

IDH08G65C5XKSA1

stock de pièces: 1682

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 8A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDB45E60ATMA1

stock de pièces: 1500

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 71A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2V @ 45A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 140ns,

IDW12G65C5FKSA1

stock de pièces: 1666

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 12A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDH09G65C5XKSA1

stock de pièces: 1642

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 9A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 9A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDH10G65C6XKSA1

stock de pièces: 15125

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 24A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.35V @ 10A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

IDV30E60C

stock de pièces: 5572

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 21A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.05V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 130ns,