Diodes - Redresseurs - Simples | Produits à semi-conducteurs discrets | 21

MBR8045

stock de pièces: 4200

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 80A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 650mV @ 80A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30020RL

stock de pièces: 2354

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 300A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 300A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR30GR02

stock de pièces: 7100

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30040RL

stock de pièces: 2289

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 300A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 300A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30045L

stock de pièces: 2377

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 300A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 300A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR5010R

stock de pièces: 5676

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 50A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 50A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR85G02

stock de pièces: 6031

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 85A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 85A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40MR05

stock de pièces: 7147

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 40A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR85GR02

stock de pièces: 6017

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 85A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 85A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30030L

stock de pièces: 2356

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 300A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 300A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURH7060R

stock de pièces: 2350

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 70A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 70A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 110ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30045RL

stock de pièces: 2334

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 300A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 300A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30040L

stock de pièces: 2296

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 300A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 300A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30035L

stock de pièces: 2318

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 300A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 300A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30035RL

stock de pièces: 5231

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 300A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 300A,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20035L

stock de pièces: 2307

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20045RL

stock de pièces: 2242

Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15020RL

stock de pièces: 2232

Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GAP05SLT80-220

stock de pièces: 311

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 8000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 50mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 4.6V @ 50mA, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20020RL

stock de pièces: 2319

Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 200mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15045RL

stock de pièces: 2265

Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15030L

stock de pièces: 2239

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20020L

stock de pièces: 2328

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 200mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15040L

stock de pièces: 2310

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15035L

stock de pièces: 2284

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20030L

stock de pièces: 2270

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20040RL

stock de pièces: 2239

Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20035RL

stock de pièces: 5225

Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15040RL

stock de pièces: 2278

Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15035RL

stock de pièces: 2301

Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15020L

stock de pièces: 2249

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15030RL

stock de pièces: 2239

Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15045L

stock de pièces: 2267

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6A02

stock de pièces: 10367

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 6A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-220

stock de pièces: 20747

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 1A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

stock de pièces: 5683

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 3300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 300mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.2V @ 300mA, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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