Diodes - Redresseurs - Simples | Produits à semi-conducteurs discrets | 21

S400KR

stock de pièces: 2009

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 400A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 400A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

SD4145

stock de pièces: 6509

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 680mV @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR12M05

stock de pièces: 9525

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 800mV @ 12A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85YR

stock de pièces: 7151

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 85A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 85A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-214

stock de pièces: 28962

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 1A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB01SLT06-214

stock de pièces: 37909

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2V @ 1A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB02SHT01-46

stock de pièces: 1555

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 1A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

S40Q

stock de pièces: 7175

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 40A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR85JR02

stock de pièces: 5989

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 85A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 85A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 250ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR70G02

stock de pièces: 9642

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 70A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 70A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247

stock de pièces: 2856

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2V @ 20A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

S300YR

stock de pièces: 1824

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 300A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 300A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40B

stock de pièces: 11196

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 40A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-220

stock de pièces: 17999

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 2A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR8045R

stock de pièces: 4212

Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 80A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 650mV @ 80A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR30J02

stock de pièces: 7131

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20045

stock de pièces: 2177

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 650mV @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S85VR

stock de pièces: 7084

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 85A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 85A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR3560R

stock de pièces: 4392

Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 35A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 35A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR85JR05

stock de pièces: 5997

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 85A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 85A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85Q

stock de pièces: 7124

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 85A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 85A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40KR

stock de pièces: 8348

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 40A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR40G02

stock de pièces: 7130

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 40A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH12040R

stock de pièces: 2457

Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

stock de pièces: 1505

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 1A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20045R

stock de pièces: 2179

Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

stock de pièces: 771

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 50A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 50A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40KR05

stock de pièces: 7134

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 40A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR20GR02

stock de pièces: 7177

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

stock de pièces: 1373

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 1A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR70GR02

stock de pièces: 7175

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 70A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 70A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR30G02

stock de pièces: 7099

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85JR

stock de pièces: 7155

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 85A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 85A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR3545

stock de pièces: 4428

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 35A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 680mV @ 35A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S300Y

stock de pièces: 1833

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 300A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 300A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S85J

stock de pièces: 7670

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 85A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 85A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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