Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

EPC2001

stock de pièces: 18487

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2049ENGRT

stock de pièces: 4397

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 15A, 5V,

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EPC2021

stock de pièces: 14286

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 90A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 29A, 5V,

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EPC2025

stock de pièces: 1945

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2031

stock de pièces: 8638

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2018

stock de pièces: 8926

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2016

stock de pièces: 50068

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 5V,

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EPC2051ENGRT

stock de pièces: 10801

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.7A, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC8004

stock de pièces: 28614

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC8009

stock de pièces: 27880

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 65V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC2030ENGRT

stock de pièces: 16295

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2007

stock de pièces: 69589

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2015

stock de pièces: 18703

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 33A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

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EPC2031ENGRT

stock de pièces: 17048

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2012

stock de pièces: 54098

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2010

stock de pièces: 9929

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2022

stock de pièces: 14027

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2024

stock de pièces: 14687

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 37A, 5V,

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EPC2033

stock de pièces: 13722

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2032

stock de pièces: 16483

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2020

stock de pièces: 14515

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 90A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 31A, 5V,

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EPC2029

stock de pièces: 16856

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2034

stock de pièces: 7981

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 5V,

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EPC2035

stock de pièces: 195456

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 5V,

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EPC2023

stock de pièces: 18953

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 40A, 5V,

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EPC2015C

stock de pièces: 30169

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 53A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

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EPC2014

stock de pièces: 74091

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 5V,

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EPC2030

stock de pièces: 22960

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC8010

stock de pièces: 46864

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC2045ENGRT

stock de pièces: 26260

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 5V,

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EPC2010C

stock de pièces: 17919

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 5V,

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EPC2012C

stock de pièces: 54040

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2001C

stock de pièces: 31126

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 36A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2202

stock de pièces: 48425

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11A, 5V,

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EPC2019

stock de pièces: 37744

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7A, 5V,

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EPC2007C

stock de pièces: 74756

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

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