Taper | La description |
État de la pièce | Active |
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Type FET | N-Channel |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 40A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 20mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vg (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 15V |
Fonction FET | - |
Puissance dissipée (Max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Paquet / Caisse | Die |
Statut ROHS | RoHs conforme |
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Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | N'est pas applicable |
Statut de cycle de vie | Obsolète / fin de vie |
Catégorie de stock | Stock disponible |