Transistors - FET, MOSFET - Simple | Produits à semi-conducteurs discrets | 2

EPC2203

stock de pièces: 59185

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.7A, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1A, 5V,

Wishlist

EPC

EPC2014C

stock de pièces: 107624

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 5V,

Wishlist

EPC

EPC8002

stock de pièces: 49093

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 65V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 500mA, 5V,

Wishlist

EPC

EPC2037

stock de pièces: 128582

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 100mA, 5V,

Wishlist

EPC

EPC2040

stock de pièces: 113264

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 15V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 1.5A, 5V,

Wishlist

EPC

EPC2039

stock de pièces: 105727

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

Wishlist

EPC

EPC2016C

stock de pièces: 65843

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 5V,

Wishlist

EPC

EPC2038

stock de pièces: 148654

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist

EPC

EPC2036

stock de pièces: 150786

Type FET: N-Channel, La technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 5V,

Wishlist