Transistors - FET, MOSFET - Simple

DMP1022UFDF-7

stock de pièces: 159919

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V,

ZVN3306FTA

stock de pièces: 179513

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

DMG6402LDM-7

stock de pièces: 188491

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V,

DMN2041L-7

stock de pièces: 183630

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V,

DMN2020UFCL-7

stock de pièces: 143834

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 4.5V,

DMP3105LVT-7

stock de pièces: 134962

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 4.2A, 10V,

DMTH4004SPSQ-13

stock de pièces: 132167

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 90A, 10V,

DMG3415UFY4Q-7

stock de pièces: 130289

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 16V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4A, 4.5V,

ZXMN10A07ZTA

stock de pièces: 145903

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V,

DMN3053L-7

stock de pièces: 159874

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 10V,

DMT6012LPS-13

stock de pièces: 9615

DMN30H4D0L-13

stock de pièces: 129656

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 300mA, 10V,

ZVN2106A

stock de pièces: 92744

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

ZXM41N10FTA

stock de pièces: 9338

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

ZVN4424ASTOA

stock de pièces: 9169

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 240V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

ZXMN6A11GTC

stock de pièces: 9235

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

ZVP3306FTC

stock de pièces: 9172

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 90mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

ZVN2110ASTOB

stock de pièces: 9265

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

DMG4406LSS-13

stock de pièces: 9411

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

ZXM64P035GTA

stock de pièces: 9288

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 35V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5.3A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.4A, 10V,

ZVN4306ASTOB

stock de pièces: 9223

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

DMN3052L-7

stock de pièces: 9376

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.8A, 10V,

ZVP2110GTC

stock de pièces: 5995

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

ZVN4210ASTOA

stock de pièces: 5985

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

ZVP3310FTC

stock de pièces: 9238

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

ZXM64P035L3

stock de pièces: 9340

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 35V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.4A, 10V,

ZVP2110A

stock de pièces: 76343

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

ZVN2110ASTOA

stock de pièces: 9250

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

ZVNL110ASTOB

stock de pièces: 9241

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

ZVP4525E6TC

stock de pièces: 9196

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 197mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

ZVP4525GTC

stock de pièces: 9249

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 265mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

ZVN4306GVTC

stock de pièces: 9190

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

DMN5L06-7

stock de pièces: 9282

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 50V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V,

ZXMP10A18K

stock de pièces: 9297

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.8A, 10V,

ZXM64N035GTA

stock de pièces: 9290

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 35V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 6.7A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.7A, 10V,

ZVN4306ASTOA

stock de pièces: 9229

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,