Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 11V, Fréquence - Transition: 3.2GHz, Puissance - Max: 310mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 11V, Fréquence - Transition: 3.2GHz, Puissance - Max: 330mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.3GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz, Puissance - Max: 330mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Puissance - Max: 330mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 40V, Fréquence - Transition: 400MHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.3GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz, Gagner: 53dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 330mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz, Puissance - Max: 330mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 2GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 330mW,
