Transistors - FET, MOSFET - Simple | Produits à semi-conducteurs discrets | 40

ZVP3306ASTOB

stock de pièces: 9834

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZXM41N10FTC

stock de pièces: 9828

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZXMN2A03E6TC

stock de pièces: 9834

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 7.2A, 4.5V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVN4306AVSTOA

stock de pièces: 9787

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVN3306ASTOB

stock de pièces: 9816

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVN0124ASTZ

stock de pièces: 9848

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 240V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

VN10LPSTOB

stock de pièces: 9775

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVN4525E6TC

stock de pièces: 9863

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVN2106GTC

stock de pièces: 9859

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 710mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVP3310ASTOB

stock de pièces: 9855

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 140mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVP2106GTC

stock de pièces: 9854

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVP1320ASTOA

stock de pièces: 9851

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZXM64P03XTC

stock de pièces: 9830

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.4A, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVN4424GTC

stock de pièces: 9856

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 240V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVP4424ASTOA

stock de pièces: 9877

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 240V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVP2120ASTOA

stock de pièces: 9827

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

VN10LPSTOA

stock de pièces: 9826

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZXM64N02XTC

stock de pièces: 9819

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVP0120AS

stock de pièces: 9888

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 110mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 Ohm @ 125mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVNL120C

stock de pièces: 9887

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVN1409ASTOA

stock de pièces: 9835

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 90V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 5mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVN4310ASTOB

stock de pièces: 9846

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVP2106AS

stock de pièces: 9893

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVNL110ASTOA

stock de pièces: 9845

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

DMN2230U-7

stock de pièces: 112687

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Wishlist

Diodes Incorporated

DMN3730UFB-7

stock de pièces: 194722

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist

Diodes Incorporated

DMT6009LFG-7

stock de pièces: 158562

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13.5A, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

DMP2008UFG-13

stock de pièces: 130618

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 4.5V,

Wishlist

Diodes Incorporated

DMT3020LFDF-7

stock de pièces: 195496

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVN4424ZTA

stock de pièces: 9538

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 240V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

DMP2130L-7

stock de pièces: 189041

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Wishlist

Diodes Incorporated

ZVP2106ASTZ

stock de pièces: 190262

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

DMN3026LVT-7

stock de pièces: 180476

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

DMN1032UCB4-7

stock de pièces: 168709

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist

Diodes Incorporated

DMN3016LFDF-7

stock de pièces: 135440

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist

Diodes Incorporated

DMN2230UQ-7

stock de pièces: 144195

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Wishlist