Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gagner: 7.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 14.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.3V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Gagner: 18dB, Puissance - Max: 115mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gagner: 7dB, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 11.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 15GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gagner: 9.6dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 2GHz, Puissance - Max: 90mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 140mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 130mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 14dB ~ 16dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gagner: 9.4dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 130mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gagner: 8.3dB, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 15GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gagner: 16dB, Puissance - Max: 205mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 1.2W,
