Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 1.2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 20GHz, Gagner: 6.5dB, Puissance - Max: 735mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.3V, Fréquence - Transition: 21GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 115mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 18GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 9.5dB ~ 11.5dB, Puissance - Max: 130mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.3V, Fréquence - Transition: 60GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz, Gagner: 16dB, Puissance - Max: 80mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 7dB ~ 10dB, Puissance - Max: 130mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Gagner: 8.3dB, Puissance - Max: 1.8W,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 130mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 11.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 1.2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, Puissance - Max: 90mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Gagner: 4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ, Puissance - Max: 140mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 14.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
