Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gagner: 8.3dB, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 205mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Gagner: 8.3dB, Puissance - Max: 1.8W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 1.8W,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 1.2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gagner: 9.4dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 20GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 735mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9.2V, Fréquence - Transition: 10GHz, Gagner: 23dB, Puissance - Max: 1.5W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 5GHz, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gagner: 7dB, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.3V, Fréquence - Transition: 21GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 115mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9.2V, Puissance - Max: 1.9W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 11.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.3V, Fréquence - Transition: 60GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz, Gagner: 16dB, Puissance - Max: 80mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gagner: 7.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 15GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.3V, Fréquence - Transition: 5.8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz, Gagner: 14dB ~ 21dB, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 200mW,
