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Type de diode: Single Phase, La technologie: Silicon Carbide Schottky, Tension - Crête inversée (Max): 1.2kV, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6.6A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.1V @ 4A, Courant - Fuite inverse @ Vr: 200µA @ 1200V,