Transistors - IGBT - Modules

APTGLQ40DDA120CT3G

Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

stock de pièces: 1378

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Dual Boost Chopper, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 75A, Puissance - Max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

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APT40GLQ120JCU2

Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

stock de pièces: 1989

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Single, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80A, Puissance - Max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

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APT25GLQ120JCU2

Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

stock de pièces: 2465

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Single, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 45A, Puissance - Max: 170W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

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Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

stock de pièces: 620

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Half Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 220A, Puissance - Max: 690W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGT100A602G

stock de pièces: 595

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Half Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150A, Puissance - Max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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APTGT100DH60T3G

Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

stock de pièces: 549

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Asymmetrical Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150A, Puissance - Max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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APTGL90SK120T1G

Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

stock de pièces: 602

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Single, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 110A, Puissance - Max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

stock de pièces: 625

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Half Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 140A, Puissance - Max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

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APTGL60DSK120T3G

Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

stock de pièces: 542

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Dual Buck Chopper, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80A, Puissance - Max: 280W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT75GP120J

stock de pièces: 1816

Type d'IGBT: PT, Configuration: Single, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 128A, Puissance - Max: 543W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

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APTGL90DH120T3G

Microsemi Corporation

APTGL90DH120T3G

stock de pièces: 541

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Asymmetrical Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 110A, Puissance - Max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

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APTGF50DSK120T3G

Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

stock de pièces: 556

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Dual Buck Chopper, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70A, Puissance - Max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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APTGL60DH120T3G

Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

stock de pièces: 534

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Asymmetrical Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80A, Puissance - Max: 280W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

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APTGF50DH120T3G

Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

stock de pièces: 607

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Asymmetrical Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70A, Puissance - Max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

stock de pièces: 579

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Full Bridge Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 40A, Puissance - Max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

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APTGF100A120T3AG

Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

stock de pièces: 542

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Half Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 130A, Puissance - Max: 780W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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APTGF150A60T3AG

Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

stock de pièces: 560

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Half Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 230A, Puissance - Max: 833W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

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APTCV60HM70BT3G

Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

stock de pièces: 5334

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Boost Chopper, Full Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50A, Puissance - Max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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APTCV60HM70RT3G

Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

stock de pièces: 574

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Full Bridge Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50A, Puissance - Max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT70GR120J

stock de pièces: 2416

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Single, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 112A, Puissance - Max: 543W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

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Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

stock de pièces: 2286

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Single, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 84A, Puissance - Max: 417W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT200GN60J

stock de pièces: 2197

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Single, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 283A, Puissance - Max: 682W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

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APTGF50VDA120T3G

Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

stock de pièces: 578

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Dual Boost Chopper, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70A, Puissance - Max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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APTGF50VDA60T3G

Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

stock de pièces: 3071

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Dual Boost Chopper, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 65A, Puissance - Max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

stock de pièces: 594

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Full Bridge Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 65A, Puissance - Max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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APTGF150A120T3AG

Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

stock de pièces: 580

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Half Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 210A, Puissance - Max: 1041W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

stock de pièces: 540

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Half Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 135A, Puissance - Max: 568W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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APTGF50DDA120T3G

Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

stock de pièces: 546

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Dual Boost Chopper, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70A, Puissance - Max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

stock de pièces: 581

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Asymmetrical Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 110A, Puissance - Max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

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APTGF150A120T3WG

Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

stock de pièces: 600

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Half Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 210A, Puissance - Max: 961W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

stock de pièces: 546

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Asymmetrical Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 65A, Puissance - Max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

stock de pièces: 585

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Three Level Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 65A, Puissance - Max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

stock de pièces: 3077

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Three Level Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 42A, Puissance - Max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

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APTCV60TLM99T3G

Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

stock de pièces: 609

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Three Level Inverter - IGBT, FET, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50A, Puissance - Max: 90W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

stock de pièces: 524

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Three Level Inverter - IGBT, FET, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80A, Puissance - Max: 280W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

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APT150GN120JDQ4

Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

stock de pièces: 1322

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Single, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 215A, Puissance - Max: 625W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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