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RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Diodes - Redresseurs - Simples

10TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

stock de pièces: 171

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 570mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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10TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

stock de pièces: 82

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 570mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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10ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

stock de pièces: 173

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 10A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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10ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

stock de pièces: 98

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 10A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

stock de pièces: 157

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 10A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

stock de pièces: 94

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 10A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

stock de pièces: 76

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.33V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 310ns,

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10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

stock de pièces: 99

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.33V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 310ns,

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10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

stock de pièces: 161

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.33V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 310ns,

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10ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

stock de pièces: 131

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.33V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 310ns,

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10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

stock de pièces: 5088

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 145ns,

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10ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

stock de pièces: 145

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 145ns,

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10ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

stock de pièces: 152

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 145ns,

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10ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

stock de pièces: 153

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 145ns,

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10ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

stock de pièces: 112

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 145ns,

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18TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

stock de pièces: 160

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 18A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 18A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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10TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

stock de pièces: 71

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 760mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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10TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

stock de pièces: 130

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 760mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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183NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

stock de pièces: 112

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 180A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 180A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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183NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

stock de pièces: 135

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 80V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 180A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 180A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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182NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

stock de pièces: 74

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 180A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 510mV @ 180A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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181NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

stock de pièces: 104

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 180A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 660mV @ 180A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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181NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

stock de pièces: 95

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 180A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 660mV @ 180A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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181NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

stock de pièces: 137

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 180A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 660mV @ 180A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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180NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

stock de pièces: 156

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 180A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 180A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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180NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

stock de pièces: 137

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 180A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 180A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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180NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

stock de pièces: 5037

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 180A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 180A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

stock de pièces: 91

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 910mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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123NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

stock de pièces: 5020

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 80V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 910mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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122NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

stock de pièces: 69

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 490mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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121NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

stock de pièces: 130

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 650mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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121NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

stock de pièces: 5051

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 650mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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121NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

stock de pièces: 135

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 650mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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121NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

stock de pièces: 74

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 650mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

stock de pièces: 120

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 570mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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1N6631US
Microsemi Corporation

1N6631US

stock de pièces: 4317

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 1.4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 60ns,

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