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RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Diodes - Redresseurs - Simples

1N4586GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GP-E3/54

stock de pièces: 168864

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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1N4595R
GeneSiC Semiconductor

1N4595R

stock de pièces: 2917

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 150A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N6098
GeneSiC Semiconductor

1N6098

stock de pièces: 4336

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 50A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 50A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

stock de pièces: 12061

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 12A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

stock de pièces: 9557

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 12A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

stock de pièces: 14337

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 35A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 35A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

stock de pièces: 7092

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 60A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

stock de pièces: 15967

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 12A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

stock de pièces: 10679

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 40A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

stock de pièces: 11089

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 40A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

stock de pièces: 7743

Type de diode: Standard, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 60A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N5553US
Microsemi Corporation

1N5553US

stock de pièces: 5530

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 9A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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1N4150-1
Microsemi Corporation

1N4150-1

stock de pièces: 35775

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 200mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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1N5553
Microsemi Corporation

1N5553

stock de pièces: 6439

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 9A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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1N6640US
Microsemi Corporation

1N6640US

stock de pièces: 6262

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 75V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 300mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 200mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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1N6622
Microsemi Corporation

1N6622

stock de pièces: 5407

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 1.2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 45ns,

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1N5804US
Microsemi Corporation

1N5804US

stock de pièces: 6351

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 875mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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1N5552
Microsemi Corporation

1N5552

stock de pièces: 6290

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 9A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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1N6080
Microsemi Corporation

1N6080

stock de pièces: 1677

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 37.7A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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1N3595US
Microsemi Corporation

1N3595US

stock de pièces: 5411

Type de diode: Standard, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 200mA, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 3µs,

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1N5616US
Microsemi Corporation

1N5616US

stock de pièces: 8604

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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1N3611
Microsemi Corporation

1N3611

stock de pièces: 7627

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N5619US
Microsemi Corporation

1N5619US

stock de pièces: 6582

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 250ns,

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1N914UR
Microsemi Corporation

1N914UR

stock de pièces: 24811

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 75V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 50mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 20ns,

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1N5619
Microsemi Corporation

1N5619

stock de pièces: 9843

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 250ns,

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1N5416US
Microsemi Corporation

1N5416US

stock de pièces: 5319

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 9A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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1N5807
Microsemi Corporation

1N5807

stock de pièces: 6580

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 875mV @ 4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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1N5554
Microsemi Corporation

1N5554

stock de pièces: 6400

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 9A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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1N5711-1
Microsemi Corporation

1N5711-1

stock de pièces: 7979

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 70V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 33mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 15mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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1N5620
Microsemi Corporation

1N5620

stock de pièces: 10754

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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1N5550
Microsemi Corporation

1N5550

stock de pièces: 7965

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 9A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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1N5822US
Microsemi Corporation

1N5822US

stock de pièces: 643

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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1C5819.T
SMC Diode Solutions

1C5819.T

stock de pièces: 90011

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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1C5822.T
SMC Diode Solutions

1C5822.T

stock de pièces: 90043

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 9.4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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1N3647
Semtech Corporation

1N3647

stock de pièces: 7939

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 3000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 600mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 5V @ 250mA, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2.5µs,

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1N5819HW-13
Diodes Incorporated

1N5819HW-13

stock de pièces: 2626

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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