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Type FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fonction FET: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA,