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RFQS / Commande
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Transistors - Bipolaires (BJT) - Tableaux, pr&eacu

RN4611(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4611(TE85L,F)

stock de pièces: 141210

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2909(T5L,F,T)

stock de pièces: 3152

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN1704JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1704JE(TE85L,F)

stock de pièces: 146002

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1966FE(TE85L,F)

stock de pièces: 140649

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN4605(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4605(TE85L,F)

stock de pièces: 128492

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1907,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1907,LF

stock de pièces: 1491

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN4991(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4991(T5L,F,T)

stock de pièces: 171762

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906(T5L,F,T)

stock de pièces: 1452

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2967FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2967FE(TE85L,F)

stock de pièces: 1533

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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NSBC144EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1

stock de pièces: 1447

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5311DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5311DW1T3G

stock de pièces: 194732

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T1G

stock de pièces: 119881

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5215DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5215DW1T1G

stock de pièces: 125619

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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XP0611100L
Panasonic Electronic Components

XP0611100L

stock de pièces: 3177

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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DMA264020R
Panasonic Electronic Components

DMA264020R

stock de pièces: 161487

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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XP0431N00L
Panasonic Electronic Components

XP0431N00L

stock de pièces: 1508

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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UP0339000L
Panasonic Electronic Components

UP0339000L

stock de pièces: 1392

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DMC5640L0R
Panasonic Electronic Components

DMC5640L0R

stock de pièces: 105345

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

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DMC261050R
Panasonic Electronic Components

DMC261050R

stock de pièces: 137140

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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XN0111100L
Panasonic Electronic Components

XN0111100L

stock de pièces: 1412

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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DMC9640N0R
Panasonic Electronic Components

DMC9640N0R

stock de pièces: 173694

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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UP0431600L
Panasonic Electronic Components

UP0431600L

stock de pièces: 1457

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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DDC122LH-7
Diodes Incorporated

DDC122LH-7

stock de pièces: 188923

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 220 Ohms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

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DDA122TH-7
Diodes Incorporated

DDA122TH-7

stock de pièces: 153892

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 220 Ohms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDA114EH-7
Diodes Incorporated

DDA114EH-7

stock de pièces: 143085

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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EMF21-7
Diodes Incorporated

EMF21-7

stock de pièces: 1520

Type de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, 12V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

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DCX114EH-7
Diodes Incorporated

DCX114EH-7

stock de pièces: 121977

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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DDA114YH-7
Diodes Incorporated

DDA114YH-7

stock de pièces: 189792

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

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DCX122LH-7
Diodes Incorporated

DCX122LH-7

stock de pièces: 183456

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 220 Ohms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

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DEMD48-7
Diodes Incorporated

DEMD48-7

stock de pièces: 178699

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V,

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PUMD16,115
Nexperia USA Inc.

PUMD16,115

stock de pièces: 167856

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

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PBLS2001D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS2001D,115

stock de pièces: 161521

Type de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, 1A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, 20V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V,

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PUMH2,115
Nexperia USA Inc.

PUMH2,115

stock de pièces: 114659

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

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PUMB2F
Nexperia USA Inc.

PUMB2F

stock de pièces: 100

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

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PUMD12/DG/B3,115
Nexperia USA Inc.

PUMD12/DG/B3,115

stock de pièces: 1543

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

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UMB2NTN
Rohm Semiconductor

UMB2NTN

stock de pièces: 156135

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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