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RFQS / Commande
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Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, pr&eacut

DDTA144TE-7
Diodes Incorporated

DDTA144TE-7

stock de pièces: 3273

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDTD143TC-7-F
Diodes Incorporated

DDTD143TC-7-F

stock de pièces: 182032

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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DDTC124GCA-7
Diodes Incorporated

DDTC124GCA-7

stock de pièces: 2152

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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DDTB123TC-7-F
Diodes Incorporated

DDTB123TC-7-F

stock de pièces: 125504

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

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DDTC113TUA-7
Diodes Incorporated

DDTC113TUA-7

stock de pièces: 2154

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 1 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDTC113TCA-7
Diodes Incorporated

DDTC113TCA-7

stock de pièces: 2182

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 1 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDTB142JU-7
Diodes Incorporated

DDTB142JU-7

stock de pièces: 2124

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 470 Ohms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

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DDTA114YCA-7
Diodes Incorporated

DDTA114YCA-7

stock de pièces: 105430

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

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DDTC114ECA-7
Diodes Incorporated

DDTC114ECA-7

stock de pièces: 2198

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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DDTC114GCA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC114GCA-7-F

stock de pièces: 167629

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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RN2114MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2114MFV,L3F

stock de pièces: 157

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 1 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1318(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1318(TE85L,F)

stock de pièces: 168872

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1106MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV,L3F

stock de pièces: 161993

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1313(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1313(TE85L,F)

stock de pièces: 191183

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1103,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103,LF(CT

stock de pièces: 141203

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN1103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103MFV,L3F

stock de pièces: 140595

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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UNR9218J0L
Panasonic Electronic Components

UNR9218J0L

stock de pièces: 2199

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 510 Ohms, Résistance - Emetteur Base (R2): 5.1 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

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DRA5L14Y0L
Panasonic Electronic Components

DRA5L14Y0L

stock de pièces: 102289

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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UNR211700L
Panasonic Electronic Components

UNR211700L

stock de pièces: 2154

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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DRA3143Y0L
Panasonic Electronic Components

DRA3143Y0L

stock de pièces: 118750

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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UNR31AE00L
Panasonic Electronic Components

UNR31AE00L

stock de pièces: 2198

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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DRC2114W0L
Panasonic Electronic Components

DRC2114W0L

stock de pièces: 186264

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

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DRC2144W0L
Panasonic Electronic Components

DRC2144W0L

stock de pièces: 105865

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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UNR422200A
Panasonic Electronic Components

UNR422200A

stock de pièces: 2279

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V,

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UNR211D00L
Panasonic Electronic Components

UNR211D00L

stock de pièces: 2190

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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FJN3313RTA
ON Semiconductor

FJN3313RTA

stock de pièces: 2232

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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FJN3312RBU
ON Semiconductor

FJN3312RBU

stock de pièces: 2221

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 40V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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MUN5237T1G
ON Semiconductor

MUN5237T1G

stock de pièces: 172982

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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FJNS4207RTA
ON Semiconductor

FJNS4207RTA

stock de pièces: 2260

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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FJNS3209RTA
ON Semiconductor

FJNS3209RTA

stock de pièces: 3228

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 40V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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FJN4306RBU
ON Semiconductor

FJN4306RBU

stock de pièces: 2252

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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MMUN2111LT1
ON Semiconductor

MMUN2111LT1

stock de pièces: 2208

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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DTC144EET1
ON Semiconductor

DTC144EET1

stock de pièces: 3281

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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PDTA115EE,115
NXP USA Inc.

PDTA115EE,115

stock de pièces: 2156

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 20mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 100 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 100 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

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PDTA115TK,115
NXP USA Inc.

PDTA115TK,115

stock de pièces: 2250

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 100 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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PDTD123YQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTD123YQAZ

stock de pièces: 194211

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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