Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, pr&eacut | Produits à semi-conducteurs discrets | 88

DRA5114Y0L

stock de pièces: 178556

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR421200A

stock de pièces: 2175

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRC9123E0L

stock de pièces: 191370

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR411900A

stock de pièces: 2244

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 1 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR511D00L

stock de pièces: 107975

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRA9144V0L

stock de pièces: 178916

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRC3123J0L

stock de pièces: 104526

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRA3144T0L

stock de pièces: 111296

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR31A100L

stock de pièces: 2228

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRA3124E0L

stock de pièces: 197096

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRA2123E0L

stock de pièces: 112166

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR412200A

stock de pièces: 2280

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR52A1G0L

stock de pièces: 2188

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRA2144V0L

stock de pièces: 131595

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRC5115E0L

stock de pièces: 153550

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 100 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 100 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR32A400L

stock de pièces: 2175

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRA9143Z0L

stock de pièces: 184563

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR212400L

stock de pièces: 2236

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

FJV4103RMTF

stock de pièces: 2286

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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ON Semiconductor

FJN4312RBU

stock de pièces: 2260

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 40V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTA114WUA-7

stock de pièces: 3290

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTD122TC-7-F

stock de pièces: 184792

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 220 Ohms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTA143ECA-7

stock de pièces: 2255

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTA123JUA-7-F

stock de pièces: 183188

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTC143TE-7

stock de pièces: 2196

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTC123EUA-7

stock de pièces: 2191

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTA114GCA-7-F

stock de pièces: 165191

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTA143ZE-7

stock de pièces: 2196

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTC114GE-7

stock de pièces: 2193

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2302,LF

stock de pièces: 145

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2403,LF

stock de pièces: 88

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110MFV,L3F

stock de pièces: 174

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Micro Commercial Co

DTA143ECA-TP

stock de pièces: 106223

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC114TSATP

stock de pièces: 2234

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PDTD113EQAZ

stock de pièces: 130400

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 1 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 1 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTA114EK,115

stock de pièces: 2166

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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