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RFQS / Commande
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Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, pr&eacut

BCR503E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR503E6393HTSA1

stock de pièces: 1955

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

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BCR183E6359HTMA1
Infineon Technologies

BCR183E6359HTMA1

stock de pièces: 1981

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR192E6785HTSA1
Infineon Technologies

BCR192E6785HTSA1

stock de pièces: 1986

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR148E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR148E6393HTSA1

stock de pièces: 2004

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR135E6359HTMA1
Infineon Technologies

BCR135E6359HTMA1

stock de pièces: 1907

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR133E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR133E6393HTSA1

stock de pièces: 3211

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR 148W H6433
Infineon Technologies

BCR 148W H6433

stock de pièces: 1910

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 569 E6327
Infineon Technologies

BCR 569 E6327

stock de pièces: 1861

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

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BCR 512 B6327
Infineon Technologies

BCR 512 B6327

stock de pièces: 1858

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

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BCR 199T E6327
Infineon Technologies

BCR 199T E6327

stock de pièces: 1876

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR 503 B6327
Infineon Technologies

BCR 503 B6327

stock de pièces: 1882

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

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BCR 199F E6327
Infineon Technologies

BCR 199F E6327

stock de pièces: 1910

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR 199L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 199L3 E6327

stock de pièces: 1899

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR198WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198WE6327BTSA1

stock de pièces: 1924

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 198F E6327
Infineon Technologies

BCR 198F E6327

stock de pièces: 1931

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 198L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 198L3 E6327

stock de pièces: 1885

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR196WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR196WE6327HTSA1

stock de pièces: 1922

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR198B6327HTLA1
Infineon Technologies

BCR198B6327HTLA1

stock de pièces: 1860

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 196T E6327
Infineon Technologies

BCR 196T E6327

stock de pièces: 1855

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 196F E6327
Infineon Technologies

BCR 196F E6327

stock de pièces: 1930

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 196L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 196L3 E6327

stock de pièces: 1883

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR192WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR192WE6327HTSA1

stock de pièces: 1884

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 192T E6327
Infineon Technologies

BCR 192T E6327

stock de pièces: 1842

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 192F E6327
Infineon Technologies

BCR 192F E6327

stock de pièces: 1916

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 192L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 192L3 E6327

stock de pièces: 1847

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 192 B6327
Infineon Technologies

BCR 192 B6327

stock de pièces: 1847

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR191WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR191WE6327HTSA1

stock de pièces: 3227

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 191L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 191L3 E6327

stock de pièces: 1904

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 191T E6327
Infineon Technologies

BCR 191T E6327

stock de pièces: 1869

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 189T E6327
Infineon Technologies

BCR 189T E6327

stock de pièces: 1877

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR 191F E6327
Infineon Technologies

BCR 191F E6327

stock de pièces: 1883

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 189F E6327
Infineon Technologies

BCR 189F E6327

stock de pièces: 1898

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR 189L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 189L3 E6327

stock de pièces: 3268

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR185WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185WE6327BTSA1

stock de pièces: 1845

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 185T E6327
Infineon Technologies

BCR 185T E6327

stock de pièces: 1848

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 185F E6327
Infineon Technologies

BCR 185F E6327

stock de pièces: 1892

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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