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RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Diodes - Redresseurs - Réseaux

RB088NS150FHTL
Rohm Semiconductor

RB088NS150FHTL

stock de pièces: 107

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 880mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DAP222MFHT2L
Rohm Semiconductor

DAP222MFHT2L

stock de pièces: 142

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 80V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 100mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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DB3J406N0L
Panasonic Electronic Components

DB3J406N0L

stock de pièces: 168202

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 75mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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ND412426
Powerex Inc.

ND412426

stock de pièces: 171

Configuration des diodes: 1 Pair Series Connection, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 2400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 260A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.35V @ 1500A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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ND410635
Powerex Inc.

ND410635

stock de pièces: 119

Configuration des diodes: 1 Pair Series Connection, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 350A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 1000A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MBRF1550CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1550CTHC0G

stock de pièces: 138

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 7.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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UGF1005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1005GHC0G

stock de pièces: 132

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SRS2090 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2090 MNG

stock de pièces: 169

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP1603 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1603 C0G

stock de pièces: 74

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 8A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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UGF2004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2004G C0G

stock de pièces: 113

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR10L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CTHC0G

stock de pièces: 132

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR10100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10100CTHC0G

stock de pièces: 141

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP1606 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1606 C0G

stock de pièces: 79

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 8A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MBRF15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15150CT C0G

stock de pièces: 107

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 7.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS20100CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20100CT-Y MNG

stock de pièces: 113

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF1050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050CTHC0G

stock de pièces: 98

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 900mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2090CT C0G

stock de pièces: 82

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L120CT C0G

stock de pièces: 68

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 120V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 900mV @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SRF16100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF16100HC0G

stock de pièces: 160

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS1550CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1550CTHMNG

stock de pièces: 117

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 7.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS4060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS4060CT MNG

stock de pièces: 120

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 40A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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UGF1006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1006GHC0G

stock de pièces: 130

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
GP1001HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1001HC0G

stock de pièces: 92

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MBR2550CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2550CT C0G

stock de pièces: 111

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 25A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 25A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SRS1090HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1090HMNG

stock de pièces: 160

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 900mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
MBRS25150CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS25150CT MNG

stock de pièces: 144

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 25A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.02V @ 25A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-20CTQ150STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150STRRHM3

stock de pièces: 52621

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 880mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-15CTQ040-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ040-1-M3

stock de pièces: 115878

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 7.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 7.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist
VS-43CTQ100STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100STRLHM3

stock de pièces: 41679

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 810mV @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS12P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4C-M3/87A

stock de pièces: 176480

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 6A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 520mV @ 6A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-MBRB20100CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTR-M3

stock de pièces: 76898

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 800mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-16CTQ100S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100S-M3

stock de pièces: 87159

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 720mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MSRT25080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT25080(A)

stock de pièces: 1344

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 250A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 250A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MSRTA40080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA40080(A)

stock de pièces: 1195

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 400A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 400A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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TBAV70,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

stock de pièces: 171499

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 80V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 215mA, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MBRF20200CT-JT
Diodes Incorporated

MBRF20200CT-JT

stock de pièces: 102317

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 890mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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