Diodes - Redresseurs - Réseaux | Produits à semi-conducteurs discrets | 100

MBRD660CTG

stock de pièces: 81424

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

stock de pièces: 69

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.05V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

stock de pièces: 1564

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

stock de pièces: 1548

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 200A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 880mV @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

stock de pièces: 1563

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 880mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

stock de pièces: 1533

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 200A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 100A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

stock de pièces: 1212

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 80V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 400A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

stock de pièces: 1519

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 200A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 100A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

stock de pièces: 3870

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 50A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 50A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

stock de pièces: 1156

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 400A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

stock de pièces: 3030

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 100A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 100A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

stock de pièces: 1552

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 100A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 880mV @ 100A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT20020

stock de pièces: 1213

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 200A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 100A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

stock de pièces: 972

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 300A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 880mV @ 300A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

stock de pièces: 1324

Configuration des diodes: 1 Pair Series Connection, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 200A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 200A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

stock de pièces: 1192

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 500A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 880mV @ 250A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

stock de pièces: 3096

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 120V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 100A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 880mV @ 100A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

stock de pièces: 1844

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 120A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

stock de pièces: 1342

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 300A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 100A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

stock de pièces: 1491

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 120A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 650mV @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST160150

stock de pièces: 1636

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 80A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 880mV @ 80A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

stock de pièces: 100592

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 120V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 970mV @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

stock de pièces: 109388

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 650mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

stock de pièces: 128134

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 730mV @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

stock de pièces: 102836

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

stock de pièces: 67167

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 620mV @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

stock de pièces: 116952

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 680mV @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

stock de pièces: 121490

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 730mV @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

stock de pièces: 47709

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 640mV @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

stock de pièces: 159782

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 120V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.01V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

stock de pièces: 58911

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 120V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 880mV @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

stock de pièces: 40301

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

stock de pièces: 120106

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

stock de pièces: 157

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

stock de pièces: 152

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.23V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

stock de pièces: 3747

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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