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RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Transistors - FET, MOSFET - Simple

BS170ZL1G
ON Semiconductor

BS170ZL1G

stock de pièces: 864

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

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BS170RLRMG
ON Semiconductor

BS170RLRMG

stock de pièces: 846

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

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BUK9E04-40A,127
Nexperia USA Inc.

BUK9E04-40A,127

stock de pièces: 80909

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK7610-100B,118
Nexperia USA Inc.

BUK7610-100B,118

stock de pièces: 61580

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK7611-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7611-55A,118

stock de pièces: 106351

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK7620-100A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7620-100A,118

stock de pièces: 81957

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9620-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9620-55A,118

stock de pièces: 145622

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK764R0-55B,118
Nexperia USA Inc.

BUK764R0-55B,118

stock de pièces: 61594

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK664R4-55C,118
Nexperia USA Inc.

BUK664R4-55C,118

stock de pièces: 42132

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 25A, 10V,

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BSS7728NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS7728NL6327HTSA1

stock de pièces: 6115

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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BSS84PL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS84PL6433HTMA1

stock de pièces: 768

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

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BSS670S2LL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS670S2LL6327HTSA1

stock de pièces: 5631

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 270mA, 10V,

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BSS308PEL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS308PEL6327HTSA1

stock de pièces: 747

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V,

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BSS316NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS316NL6327HTSA1

stock de pièces: 804

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V,

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BSS214NW L6327
Infineon Technologies

BSS214NW L6327

stock de pièces: 6119

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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BSS306NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS306NL6327HTSA1

stock de pièces: 6076

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V,

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BSS214NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS214NL6327HTSA1

stock de pièces: 803

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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BSS209PW L6327
Infineon Technologies

BSS209PW L6327

stock de pièces: 817

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 580mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 580mA, 4.5V,

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BSS169L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS169L6327HTSA1

stock de pièces: 722

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

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BSS159NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS159NL6327HTSA1

stock de pièces: 719

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

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BSS139L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS139L6327HTSA1

stock de pièces: 783

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

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BSS139L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS139L6906HTSA1

stock de pièces: 765

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

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BSS138W L6327
Infineon Technologies

BSS138W L6327

stock de pièces: 784

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

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BSS138W L6433
Infineon Technologies

BSS138W L6433

stock de pièces: 726

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

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BSS127L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS127L6327HTSA1

stock de pièces: 810

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

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BSS138NL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS138NL6433HTMA1

stock de pièces: 726

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

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BSS126L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS126L6327HTSA1

stock de pièces: 754

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

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BSS126L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS126L6906HTSA1

stock de pièces: 769

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

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BSR92PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR92PL6327HTSA1

stock de pièces: 734

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 140mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 140mA, 10V,

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BSS119L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS119L6327HTSA1

stock de pièces: 792

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

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BSR316PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR316PL6327HTSA1

stock de pièces: 775

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 360mA, 10V,

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BSP322PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP322PL6327HTSA1

stock de pièces: 811

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1A, 10V,

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BSP321PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP321PL6327HTSA1

stock de pièces: 714

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 980mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 980mA, 10V,

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BSF045N03MQ3 G
Infineon Technologies

BSF045N03MQ3 G

stock de pièces: 777

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

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BSC152N10NSFGATMA1
Infineon Technologies

BSC152N10NSFGATMA1

stock de pièces: 801

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2 mOhm @ 25A, 10V,

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BSP89H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP89H6327XTSA1

stock de pièces: 183471

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 240V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

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