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Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 55A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 28A, 10V,