Transistors - FET, MOSFET - Simple

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD403L

stock de pièces: 2056

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 70A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 20V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD256_001

stock de pièces: 2045

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 19A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 10A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD240_001

stock de pièces: 2023

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 70A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD210_001

stock de pièces: 2022

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 70A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB414_001

stock de pièces: 5663

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 51A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD206_001

stock de pièces: 2101

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 46A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB411L_001

stock de pièces: 2045

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 78A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7408L

stock de pièces: 2089

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 2A, 4.5V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6409_102

stock de pièces: 2062

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6402L

stock de pièces: 2019

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6403L

stock de pièces: 2096

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4496_101

stock de pièces: 2016

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4494H

stock de pièces: 2058

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 18A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4490L

stock de pièces: 1989

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 16A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4488L

stock de pièces: 2071

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4485L_102

stock de pièces: 6227

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4484_101

stock de pièces: 6264

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 10A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4482L_102

stock de pièces: 1999

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 6A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4476AL_102

stock de pièces: 1983

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4476A_103

stock de pièces: 2013

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4476A_104

stock de pièces: 2072

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4466_102

stock de pièces: 1988

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4459L

stock de pièces: 2002

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 6.5A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4450L

stock de pièces: 2063

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4450_101

stock de pièces: 2022

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4448L

stock de pièces: 6257

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4449L

stock de pièces: 2015

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 7A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4435L_102

stock de pièces: 2032

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 20V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4435_103

stock de pièces: 6246

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 20V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4435_102

stock de pièces: 2068

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 20V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4421L

stock de pièces: 1992

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.2A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4419_003

stock de pièces: 2007

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.7A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4419L

stock de pièces: 6287

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.7A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4413L

stock de pièces: 6263

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 15A, 20V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4411L

stock de pièces: 2039

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 8A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4407L

stock de pièces: 2071

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

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