Transistors - FET, MOSFET - Simple

AOTF4N90_002

stock de pièces: 2360

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF22N50_001

stock de pièces: 2377

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_900

stock de pièces: 2422

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_001

stock de pièces: 6258

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF18N65_001

stock de pièces: 2409

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF16N50_001

stock de pièces: 2425

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF14N50_002

stock de pièces: 2433

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_007

stock de pièces: 2390

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_001

stock de pièces: 2400

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF11S60_900

stock de pièces: 2420

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_003

stock de pièces: 2362

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AOD2N100M

stock de pièces: 2357

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_002

stock de pièces: 2379

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AO6405_102

stock de pièces: 6321

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6405_101

stock de pièces: 2389

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6402A_201

stock de pièces: 2354

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 10V,

AO3416L

stock de pièces: 2332

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

AON7410L_105

stock de pièces: 2334

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7430L

stock de pièces: 2351

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

AON7410L

stock de pièces: 2369

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7408L

stock de pièces: 2366

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 20A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 9A, 10V,

AON7406L

stock de pièces: 2402

AON7403L

stock de pièces: 2348

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

AON6452L

stock de pièces: 5641

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 26A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

AON7401L

stock de pièces: 5685

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 20V,

AON6448L_001

stock de pièces: 2394

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 65A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 10V,

AON6448L

stock de pièces: 2372

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 65A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 10V,

AON6405L_102

stock de pièces: 6245

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

AON6413_101

stock de pièces: 2376

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 32A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 16A, 10V,

AON6403L_APP

stock de pièces: 2344

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

AON6362P

stock de pièces: 2377

AOD454AL

stock de pièces: 2329

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 12A, 10V,

AOD409_002

stock de pièces: 2374

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 20A, 10V,

AO7401L

stock de pièces: 2397

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.2A, 10V,

AOD409_001

stock de pièces: 2374

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 20A, 10V,

AO6415L

stock de pièces: 2373

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.3A, 10V,