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RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Diodes - Redresseurs - Simples

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BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR

stock de pièces: 163646

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25-E3/TR

stock de pièces: 164701

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 25V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200-E3/96

stock de pièces: 120803

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/I

stock de pièces: 32260

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-08

stock de pièces: 152834

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 200mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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BAV20W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-08

stock de pièces: 179080

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 200mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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BAS16D-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-08

stock de pièces: 111335

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 75V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 150mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 6ns,

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BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR3

stock de pièces: 106669

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR

stock de pièces: 155089

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 100mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR

stock de pièces: 142318

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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BAT54W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-08

stock de pièces: 170231

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 800mV @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 5ns,

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BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-08

stock de pièces: 136941

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 70V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 70mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 15mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3_A/H

stock de pièces: 34922

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/H

stock de pièces: 34902

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BA158-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/54

stock de pièces: 101393

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 250ns,

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B340LB-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/52T

stock de pièces: 123083

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR

stock de pièces: 116833

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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BYT62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TAP

stock de pièces: 158520

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 2400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 350mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 3.6V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 5µs,

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BYT54M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TAP

stock de pièces: 193530

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.25A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TR

stock de pièces: 170950

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 100mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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BYT52M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TAP

stock de pièces: 122124

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TAP

stock de pièces: 153002

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 600mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 400mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 6ns,

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BYW36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TR

stock de pièces: 121947

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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BYV26D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TAP

stock de pièces: 187035

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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BY269TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TAP

stock de pièces: 129989

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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BYV26C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TAP

stock de pièces: 171441

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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BYW32-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TR

stock de pièces: 152678

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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BYV27-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TAP

stock de pièces: 122331

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.35V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 250ns,

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BYW55-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TAP

stock de pièces: 144972

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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BYX86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TAP

stock de pièces: 183532

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TR

stock de pièces: 134544

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 600mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 400mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 6ns,

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BYV26B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TAP

stock de pièces: 169957

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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BYV38-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TAP

stock de pièces: 177773

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 300ns,

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BYV26D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TR

stock de pièces: 121386

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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BYV27-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TAP

stock de pièces: 139081

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 165V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.07V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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BYV27-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TAP

stock de pièces: 181381

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.07V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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