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RFQS / Commande
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Diodes - Redresseurs - Simples

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BYG10YHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHE3_A/H

stock de pièces: 17865

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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BYG10J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR

stock de pièces: 149622

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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BY252P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252P-E3/54

stock de pièces: 145929

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 3µs,

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BY253P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253P-E3/54

stock de pièces: 127396

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 3µs,

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BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-E3-08

stock de pièces: 102442

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 200mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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BA159-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159-E3/73

stock de pièces: 135265

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 500ns,

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BAS70-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS70-02V-V-G-08

stock de pièces: 174638

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 70V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 100mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 15mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 5ns,

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BAS19-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-E3-08

stock de pièces: 165592

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 200mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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BYM11-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-400-E3/96

stock de pièces: 154481

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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BAS21-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-HE3-08

stock de pièces: 108310

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 200mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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BYM10-800-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-800-E3/96

stock de pièces: 191060

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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BYM10-600-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-600-E3/96

stock de pièces: 119015

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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B360B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-E3/5BT

stock de pièces: 164916

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 660mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYG24D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-E3/TR

stock de pièces: 162130

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 140ns,

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B340A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-M3/61T

stock de pièces: 143315

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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B120-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B120-E3/61T

stock de pièces: 144292

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 520mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYW82-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW82-TR

stock de pièces: 191605

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 7.5µs,

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B160-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B160-E3/5AT

stock de pièces: 189351

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYS11-90-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS11-90-E3/TR3

stock de pièces: 136594

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYW178-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW178-TR

stock de pièces: 166134

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.9V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 60ns,

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BYG20D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR3

stock de pièces: 156933

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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BYT56M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56M-TAP

stock de pièces: 190205

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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B130-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B130-E3/5AT

stock de pièces: 180095

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 520mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYT56M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56M-TR

stock de pièces: 181153

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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BAQ134-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ134-GS08

stock de pièces: 114583

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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BYV28-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-600-TAP

stock de pièces: 141378

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.35V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 210ns,

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BYG21K-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-E3/TR3

stock de pièces: 119683

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 120ns,

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BYV28-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-200-TAP

stock de pièces: 146611

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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BYG10YHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHM3_A/I

stock de pièces: 20320

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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BAQ34-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ34-GS08

stock de pièces: 163973

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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BYG10YHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHE3_A/I

stock de pièces: 20300

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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BYW86-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW86-TR

stock de pièces: 177974

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 7.5µs,

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BY255P-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255P-E3/73

stock de pièces: 105347

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 3µs,

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BAS40-00-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS40-00-E3-08

stock de pièces: 177694

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 40mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 5ns,

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BAT43WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-E3-08

stock de pièces: 163088

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 15mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 5ns,

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BAT43WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-HE3-08

stock de pièces: 187575

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 15mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 5ns,

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