Diodes - Redresseurs - Simples | Produits à semi-conducteurs discrets | 100

BYG24G-M3/TR

stock de pièces: 160213

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR

stock de pièces: 141773

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR3

stock de pièces: 131968

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR3

stock de pièces: 182415

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR3

stock de pièces: 178714

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR3

stock de pièces: 104636

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/H

stock de pièces: 136458

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/H

stock de pièces: 128490

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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BYG23T-M3/TR3

stock de pièces: 129800

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.9V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I

stock de pièces: 120649

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/I

stock de pièces: 155324

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/I

stock de pièces: 188118

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/H

stock de pièces: 135545

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR

stock de pièces: 137182

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H

stock de pièces: 196477

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR

stock de pièces: 116559

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/H

stock de pièces: 167113

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I

stock de pièces: 151425

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR3

stock de pièces: 167334

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR3

stock de pièces: 177836

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR

stock de pièces: 116100

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR

stock de pièces: 126510

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/H

stock de pièces: 113240

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR3

stock de pièces: 197556

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/I

stock de pièces: 112695

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/H

stock de pièces: 164441

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR

stock de pièces: 174425

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR3

stock de pièces: 199071

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR3

stock de pièces: 120482

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/H

stock de pièces: 162395

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR3

stock de pièces: 109092

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR

stock de pièces: 111717

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR3

stock de pièces: 162156

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I

stock de pièces: 131985

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR

stock de pièces: 142403

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/I

stock de pièces: 178334

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.15V @ 1.5A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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