Diodes - Redresseurs - Simples

Domicile
Diodes - Redresseurs - Simples

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY268TAP

stock de pièces: 122912

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 800mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 400mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 400ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TR

stock de pièces: 170832

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 55V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.07V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TR

stock de pièces: 169988

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TR

stock de pièces: 158535

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 2400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 350mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 3.6V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TAP

stock de pièces: 133807

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TR

stock de pièces: 166239

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TAP

stock de pièces: 162849

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.9A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TR

stock de pièces: 154344

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.25A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TAP

stock de pièces: 127685

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1500V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TAP

stock de pièces: 178566

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TAP

stock de pièces: 107418

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TAP

stock de pièces: 155091

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TAP

stock de pièces: 140893

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.9A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TR

stock de pièces: 113210

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TR

stock de pièces: 120137

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.25A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TR

stock de pièces: 176417

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TR

stock de pièces: 161256

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.9A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TR

stock de pièces: 147051

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TAP

stock de pièces: 127986

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.9A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TR

stock de pièces: 178212

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TR

stock de pièces: 142835

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.25A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TR

stock de pièces: 156566

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TAP

stock de pièces: 198030

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.9A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TR

stock de pièces: 197736

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 10A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TR

stock de pièces: 132572

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STAP

stock de pièces: 198779

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.4V @ 200mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TR

stock de pièces: 168310

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 500V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TAP

stock de pièces: 129025

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TAP

stock de pièces: 197129

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TAP

stock de pièces: 143955

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TAP

stock de pièces: 135313

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 10A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TAP

stock de pièces: 191378

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TAP

stock de pièces: 199601

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TAP

stock de pièces: 116196

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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BYM12-300-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300-E3/96

stock de pièces: 143123

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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BYM12-400HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3_A/I

stock de pièces: 205

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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