Diodes - Redresseurs - Simples

Domicile
Diodes - Redresseurs - Simples

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TR

stock de pièces: 173494

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW56-TR

stock de pièces: 187466

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52J-TR

stock de pièces: 191673

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TR

stock de pièces: 172184

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1500V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 20µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW53-TAP

stock de pièces: 190341

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TR

stock de pièces: 147603

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-100-TAP

stock de pièces: 123328

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.07V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW34-TR

stock de pièces: 188604

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TAP

stock de pièces: 191488

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW54-TAP

stock de pièces: 168015

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STR

stock de pièces: 146211

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.4V @ 200mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26A-TR

stock de pièces: 159673

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TR

stock de pièces: 150205

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53D-TR

stock de pièces: 133955

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.9A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW52-TR

stock de pièces: 120246

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TR

stock de pièces: 129638

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.9A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52G-TR

stock de pièces: 101825

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TR

stock de pièces: 136092

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.9A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TAP

stock de pièces: 171145

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TR

stock de pièces: 122323

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TR

stock de pièces: 171100

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-16STR

stock de pièces: 198364

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.4V @ 200mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52J-TAP

stock de pièces: 189810

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TR

stock de pièces: 113210

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54J-TR

stock de pièces: 120006

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.25A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TAP

stock de pièces: 148264

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52D-TR

stock de pièces: 180394

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TR

stock de pièces: 176295

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.35V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52G-TAP

stock de pièces: 172719

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53G-TAP

stock de pièces: 186525

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.9A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV14-TAP

stock de pièces: 133078

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV15-TR

stock de pièces: 148751

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52B-TAP

stock de pièces: 190774

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TR

stock de pièces: 190671

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW54-TR

stock de pièces: 150177

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW53-TR

stock de pièces: 100202

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4µs,

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