Diodes - Redresseurs - Simples | Produits à semi-conducteurs discrets | 100

40EPS12

stock de pièces: 454

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 40A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

40EPF12

stock de pièces: 77

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 40A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 450ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

40EPF10

stock de pièces: 97

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 40A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 450ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

40EPF02

stock de pièces: 83

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 40A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 180ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

40EPF04

stock de pièces: 94

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 40A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 180ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

40EPS08

stock de pièces: 10037

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 40A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 40A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

50WQ06FNTRR

stock de pièces: 1020

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 570mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

50WQ10FNTRR

stock de pièces: 181

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 770mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

50WQ10FNTRL

stock de pièces: 152

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 770mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

50WQ06FNTRL

stock de pièces: 94

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 570mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

50WQ04FNTRR

stock de pièces: 136

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 510mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

50WQ04FNTRL

stock de pièces: 158

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 510mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

50WQ03FNTRR

stock de pièces: 184

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 460mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

50WQ03FNTRL

stock de pièces: 138

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 460mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

50WQ03FNTR

stock de pièces: 130

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 460mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

50WQ10FN

stock de pièces: 10048

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 770mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

50WQ06FN

stock de pièces: 5036

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 570mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

50WQ04FNTR

stock de pièces: 10085

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 510mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

50WQ03FN

stock de pièces: 5038

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 460mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

50WQ04FN

stock de pièces: 9990

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 510mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

66PQ040

stock de pièces: 22499

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

65PQ015

stock de pièces: 1105

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 15V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 65A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 65A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

60CPF02

stock de pièces: 1086

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 180ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

60EPU06

stock de pièces: 319

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.68V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 81ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

60APU06

stock de pièces: 245

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.68V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 81ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

60EPU04

stock de pièces: 248

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 85ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

60APU04

stock de pièces: 5070

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 85ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

60EPU02

stock de pièces: 201

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.08V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

60APU02

stock de pièces: 182

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.08V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

6TQ045STRR

stock de pièces: 5057

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 6A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

6TQ045STRL

stock de pièces: 121

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 6A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

6TQ035STRR

stock de pièces: 157

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 6A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

6TQ035STRL

stock de pièces: 153

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 6A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

60HFUR-600

stock de pièces: 121

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 80ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

60HFUR-500

stock de pièces: 191

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 500V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 80ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

60HFUR-400

stock de pièces: 164

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 80ns,

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