Diodes - Redresseurs - Simples | Produits à semi-conducteurs discrets | 100

20ETS08FP

stock de pièces: 105

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 20A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12FP

stock de pièces: 5069

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 20A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06FP

stock de pièces: 26

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 160ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04FP

stock de pièces: 116

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 160ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02FP

stock de pièces: 49

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 160ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10

stock de pièces: 31

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.31V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 400ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08

stock de pièces: 115

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.31V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 400ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06

stock de pièces: 56

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 160ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04

stock de pièces: 79

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 160ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02

stock de pièces: 38

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 160ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF12S

stock de pièces: 75

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.31V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 400ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06S

stock de pièces: 10053

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 160ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08S

stock de pièces: 10001

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.31V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 400ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04S

stock de pièces: 10053

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 160ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10S

stock de pièces: 10015

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.31V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 400ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08STRL

stock de pièces: 5086

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 20A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

245NQ015

stock de pièces: 10043

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 15V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 240A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 400mV @ 240A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12

stock de pièces: 5060

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 20A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12S

stock de pièces: 10050

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 20A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08S

stock de pièces: 9995

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 20A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02S

stock de pièces: 9988

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 160ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

301UR80

stock de pièces: 1468

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 330A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.22V @ 942A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/73

stock de pièces: 107592

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/54

stock de pièces: 111138

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/73

stock de pièces: 170598

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/73

stock de pièces: 162083

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/73

stock de pièces: 119879

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/54

stock de pièces: 151354

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/54

stock de pièces: 146657

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/54

stock de pièces: 110475

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

30HFU-100

stock de pièces: 1057

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.45V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 80ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

30ETH06

stock de pièces: 212

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.6V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPH06

stock de pièces: 243

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.6V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPH03

stock de pièces: 213

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 55ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ10FNTRR

stock de pièces: 102

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 810mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ06FNTRL

stock de pièces: 115

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 610mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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