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Transistors - Bipolaires (BJT) - Tableaux

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2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

stock de pièces: 152609

Type de transistor: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SC4944-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

stock de pièces: 98

Type de transistor: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SA1618-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

stock de pièces: 124

Type de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SA1873-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

stock de pièces: 114931

Type de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SA1873-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

stock de pièces: 137653

Type de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

stock de pièces: 153875

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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2SC4207-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

stock de pièces: 9987

Type de transistor: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

stock de pièces: 115889

Type de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1B01FU-Y(L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

stock de pièces: 4365

Type de transistor: NPN, PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

stock de pièces: 167758

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1C03FU-A(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

stock de pièces: 115887

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 300mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

stock de pièces: 179411

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 120V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

stock de pièces: 4432

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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ULN2004AFWG,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

stock de pièces: 124168

Type de transistor: 7 NPN Darlington, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 50µA, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1A01F-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

stock de pièces: 104094

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

stock de pièces: 147055

Type de transistor: NPN, PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100µA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

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HN1A01FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

stock de pièces: 104803

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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TPCP8901(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

stock de pièces: 104

Type de transistor: NPN, PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 1A, 800mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

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HN1B04FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

stock de pièces: 184759

Type de transistor: NPN, PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

stock de pièces: 4437

Type de transistor: NPN, PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN4A06J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

stock de pièces: 4500

Type de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 120V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

stock de pièces: 4488

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN1C01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

stock de pièces: 184335

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

stock de pièces: 4476

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 120V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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ULN2003APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

stock de pièces: 4401

Type de transistor: 7 NPN Darlington, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 50µA, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

stock de pièces: 6508

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN1B01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

stock de pièces: 151500

Type de transistor: NPN, PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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ULN2803AFWG,C,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

stock de pièces: 4471

Type de transistor: 8 NPN Darlington, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

stock de pièces: 9945

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 300mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

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HN1C01FYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

stock de pièces: 111105

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

stock de pièces: 4492

Type de transistor: NPN, PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

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ULN2003AFWG,O,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

stock de pièces: 4430

Type de transistor: 7 NPN Darlington, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 50µA, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

stock de pièces: 76

Type de transistor: NPN, PNP (Emitter Coupled), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,

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ULN2803APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

stock de pièces: 4464

Type de transistor: 8 NPN Darlington, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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HN3C51F-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

stock de pièces: 4503

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 120V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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HN1B04FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

stock de pièces: 9904

Type de transistor: NPN, PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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