Diodes - Redresseurs - Simples

Domicile
Diodes - Redresseurs - Simples

Taiwan Semiconductor Corporation

SF14G A0G

stock de pièces: 102

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRT110HA0G

stock de pièces: 134

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 800mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER302G A0G

stock de pièces: 88

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1630HC0G

stock de pièces: 116

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF1G A0G

stock de pièces: 91

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFT18G R0G

stock de pièces: 81

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UG06BHA1G

stock de pièces: 141

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 600mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 600mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 15ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR506HA0G

stock de pièces: 169

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1050 C0G

stock de pièces: 97

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR151G A0G

stock de pièces: 84

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR515 B0G

stock de pièces: 121

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.05V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR115HA0G

stock de pièces: 159

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF1D R1G

stock de pièces: 158

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1640HC0G

stock de pièces: 136

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR104 R1G

stock de pièces: 174

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF803G C0G

stock de pièces: 128

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRT12 R0G

stock de pièces: 161

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF16100HC0G

stock de pièces: 117

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR745HC0G

stock de pièces: 93

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 7.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR109 A0G

stock de pièces: 143

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR005 R1G

stock de pièces: 103

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DV M2G

stock de pièces: 146

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 15ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF801G C0G

stock de pièces: 173

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS890HMNG

stock de pièces: 176

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS820 MNG

stock de pièces: 138

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR102G B0G

stock de pièces: 107

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

F1T6GHA1G

stock de pièces: 134

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF17GHB0G

stock de pièces: 137

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 500V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR503 A0G

stock de pièces: 147

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF12G A0G

stock de pièces: 114

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER108G R1G

stock de pièces: 127

Type de diode: Standard, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR205HR0G

stock de pièces: 87

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF33G A0G

stock de pièces: 120

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR010HR1G

stock de pièces: 168

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR103 B0G

stock de pièces: 135

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS2090 MNG

stock de pièces: 106

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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