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RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Diodes - Redresseurs - Simples

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  • Diodes - Redresseurs - Simples
HER307G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER307G B0G

stock de pièces: 127

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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SR115HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR115HR1G

stock de pièces: 91

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFT14GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT14GHA0G

stock de pièces: 118

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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F1T6GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T6GHR0G

stock de pièces: 120

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 500ns,

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SR306HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR306HA0G

stock de pièces: 139

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS16150HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS16150HMNG

stock de pièces: 162

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFA807G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA807G C0G

stock de pièces: 138

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 500V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SFA803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA803G C0G

stock de pièces: 148

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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GPA806 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GPA806 C0G

stock de pièces: 85

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 8A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SFT16GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT16GHA0G

stock de pièces: 103

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SR003 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR003 B0G

stock de pièces: 175

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SF43G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF43G B0G

stock de pièces: 140

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SFA806GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA806GHC0G

stock de pièces: 100

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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F1T3G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T3G R0G

stock de pièces: 99

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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SRAF1630 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1630 C0G

stock de pièces: 147

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 16A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 16A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SRT12HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT12HA0G

stock de pièces: 105

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR160HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160HA0G

stock de pièces: 153

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SR006 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR006 B0G

stock de pièces: 92

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FR101G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR101G R1G

stock de pièces: 159

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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SF22G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF22G A0G

stock de pièces: 86

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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MUR160HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160HB0G

stock de pièces: 100

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SF13G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF13G B0G

stock de pièces: 157

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SF17GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF17GHA0G

stock de pièces: 167

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 500V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SRA1050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1050HC0G

stock de pièces: 86

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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UF1GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1GHR1G

stock de pièces: 86

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SR002HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR002HA0G

stock de pièces: 97

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SR804HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR804HA0G

stock de pièces: 101

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SRT16HA1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT16HA1G

stock de pièces: 87

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR4L60HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L60HB0G

stock de pièces: 170

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.28V @ 4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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F1T1G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T1G A0G

stock de pièces: 122

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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HT13G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT13G R0G

stock de pièces: 84

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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MUR4L40HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L40HB0G

stock de pièces: 150

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.28V @ 4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SF13G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF13G A0G

stock de pièces: 150

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SF13GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF13GHA0G

stock de pièces: 118

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SRAF5150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF5150HC0G

stock de pièces: 124

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SR104HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR104HB0G

stock de pièces: 133

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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