Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 2.1A,
Taper: Multilayer, Inductance: 4.7µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 800mA,
Taper: Multilayer, Inductance: 3.3µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 800mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 1.3A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 2.7nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 1.8A,
Taper: Wirewound, Inductance: 220nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 700mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 3.3µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 270mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 6.8nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 540mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 150µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 45mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 15µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 145mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 390µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 70mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 180µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 85mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 4.7µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 350mA, Courant - Saturation: 700mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 15nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 350mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 560nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 560mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 6.8nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 320mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 18nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 320mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 82µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 110mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 270µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 80mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 390nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 160mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 680nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 140mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 220nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 190mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 2.1A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 270nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 82µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 75mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 10nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 450mA,
Inductance: 39µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 13mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 180nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 195mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 270nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 180mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 2.7nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 330µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 75mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 800mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 1.2nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Multilayer, Inductance: 2.2µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 800mA,
Taper: Multilayer, Inductance: 470nH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 1.2A,
Taper: Wirewound, Inductance: 220µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 85mA,
