Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, pr&eacut | Produits à semi-conducteurs discrets | 16

DRA3143T0L

stock de pièces: 196875

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR31A1G0L

stock de pièces: 148768

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR311300L

stock de pièces: 150459

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR521F00L

stock de pièces: 152628

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRA3114T0L

stock de pièces: 130528

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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DRC3144T0L

stock de pièces: 156165

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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UNR31A3G0L

stock de pièces: 137421

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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UNR511800L

stock de pièces: 129066

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 510 Ohms, Résistance - Emetteur Base (R2): 5.1 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

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UP0KG8D00L

stock de pièces: 1894

Type de transistor: PNP - Pre-Biased + Diode, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DRA9143X0L

stock de pièces: 170512

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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UNR221E00L

stock de pièces: 153953

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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UNR211E00L

stock de pièces: 120695

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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UNR31A9G0L

stock de pièces: 186412

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 1 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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UNR31AMG0L

stock de pièces: 195360

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DRA3144W0L

stock de pièces: 141704

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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UNR32A4G0L

stock de pièces: 108647

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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UNR32AT00L

stock de pièces: 195845

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DRA3114E0L

stock de pièces: 167498

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR32A700L

stock de pièces: 133689

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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UNR321N00L

stock de pièces: 146933

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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