Transistors - FET, MOSFET - Simple | Produits à semi-conducteurs discrets | 3

2SK3047

stock de pièces: 8914

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SK3044

stock de pièces: 8928

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 450V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FM6K62010L

stock de pièces: 139710

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

FK3506010L

stock de pièces: 128171

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

MTM861240LBF

stock de pièces: 149538

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

FL6L52030L

stock de pièces: 106438

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

MTM861280LBF

stock de pièces: 136480

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

FL6L52070L

stock de pièces: 110076

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

SK8403160L

stock de pièces: 154055

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 70A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 14.5A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FM6L52020L

stock de pièces: 184582

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

FJ3303010L

stock de pièces: 139518

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 10mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

SK8403190L

stock de pièces: 140816

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 19A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 70A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FK3906010L

stock de pièces: 191710

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

MTM761110LBF

stock de pièces: 132833

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V,

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Panasonic Electronic Components

MTM861270LBF

stock de pièces: 186233

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

FK8V03020L

stock de pièces: 179758

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 33V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 7A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FJ3P02100L

stock de pièces: 170336

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

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Panasonic Electronic Components

SK8603150L

stock de pièces: 49829

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 89A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 20A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FK8V03060L

stock de pièces: 119517

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 33V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3.3A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

MTM981400BBF

stock de pièces: 60210

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

SK8403170L

stock de pièces: 170273

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 12A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FK8V03030L

stock de pièces: 134632

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 33V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 6A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FL6L52010L

stock de pièces: 146849

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8 V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

MTM982400BBF

stock de pièces: 50877

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

MTM761230LBF

stock de pièces: 110440

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

FK6K02010L

stock de pièces: 118686

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 2A, 4.5V,

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Panasonic Electronic Components

FK8V03050L

stock de pièces: 191195

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 33V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FK8V03040L

stock de pièces: 147375

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 33V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

SK8603160L

stock de pièces: 151831

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 70A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 17A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FK3P02110L

stock de pièces: 116460

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 24V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3A, 2.5V,

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Panasonic Electronic Components

FL5252050R

stock de pièces: 159382

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

MTM131270BBF

stock de pièces: 113071

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8 V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

FJ6K01010L

stock de pièces: 149431

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V,

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Panasonic Electronic Components

SK8603190L

stock de pièces: 172926

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 19A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

SK8603140L

stock de pièces: 98069

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 103A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 23A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FL6L52060L

stock de pièces: 137602

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8 V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

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