Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gagner: 20dB, Puissance - Max: 135mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Gagner: 18dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9.5V, Fréquence - Transition: 900MHz, Gagner: 8dB, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3V, Fréquence - Transition: 53GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz, Gagner: 15.8dB, Puissance - Max: 160mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.8V, Fréquence - Transition: 55GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz, Gagner: 10dB ~ 24dB, Puissance - Max: 136mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Gagner: 18.5dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Gagner: 21dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz, Puissance - Max: 32mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 55GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 12GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 136mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 360mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6.5V, Fréquence - Transition: 15GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz, Gagner: 15dB ~ 22dB, Puissance - Max: 188mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 365mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 270mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 360mW,
