Diodes - Redresseurs - Simples | Produits à semi-conducteurs discrets | 2

1PS193,115

stock de pièces: 1062

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 80V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 215mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 100mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1PS193,135

stock de pièces: 5187

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 80V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 215mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 100mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N914B,113

stock de pièces: 348

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N4148,113

stock de pièces: 9942

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 10mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N4148,143

stock de pièces: 9977

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 10mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N4148,133

stock de pièces: 9978

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 10mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1PS59SB20,115

stock de pièces: 9887

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NXP USA Inc.

1N4448,113

stock de pièces: 9889

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N4448,143

stock de pièces: 9886

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

1PS59SB10,115

stock de pièces: 9579

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 800mV @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 5ns,

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NXP USA Inc.

BAT54T,115

stock de pièces: 1894

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 800mV @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 5ns,

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NXP USA Inc.

BAS116T,115

stock de pièces: 1894

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 75V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 215mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 150mA, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 3µs,

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NXP USA Inc.

BYC8B-600PQP

stock de pièces: 1423

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 3.4V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 18ns,

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NXP USA Inc.

BY229X-800,127

stock de pièces: 1511

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.85V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 135ns,

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NXP USA Inc.

BYD17G,115

stock de pièces: 1052

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.05V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 3µs,

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NXP USA Inc.

BAW62,133

stock de pièces: 1029

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 75V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 100mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

BY229-600,127

stock de pièces: 496

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 500V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.85V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 135ns,

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NXP USA Inc.

BAT254,115

stock de pièces: 478

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 800mV @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 5ns,

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NXP USA Inc.

BYD17K,135

stock de pièces: 390

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.05V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 3µs,

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NXP USA Inc.

BYD77D,115

stock de pièces: 303

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 850mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 980mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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NXP USA Inc.

BYD37M,115

stock de pièces: 388

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 600mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 300ns,

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NXP USA Inc.

BYD77B,115

stock de pièces: 365

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 850mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 980mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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NXP USA Inc.

BYD17J,115

stock de pièces: 375

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.05V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 3µs,

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NXP USA Inc.

BYD17D,115

stock de pièces: 296

Type de diode: Avalanche, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.05V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 3µs,

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NXP USA Inc.

BY329X-1200,127

stock de pièces: 9889

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.85V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 145ns,

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NXP USA Inc.

BY329-1500S,127

stock de pièces: 9919

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1500V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 6.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 160ns,

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NXP USA Inc.

BAS216,115

stock de pièces: 9921

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 75V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 150mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

BY359-1500,127

stock de pièces: 9954

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1500V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 20A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 600ns,

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NXP USA Inc.

BAS216,135

stock de pièces: 9878

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 75V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 150mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAS16T,115

stock de pièces: 9970

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 155mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 150mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAW62,113

stock de pièces: 9968

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 75V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 100mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAW62,143

stock de pièces: 9956

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 75V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 100mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAS316/ZLX

stock de pièces: 9620

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 215mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 150mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAS40/ZLVL

stock de pièces: 9547

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 120mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 40mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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NXP USA Inc.

BAS321/ZLX

stock de pièces: 9538

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 200mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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NXP USA Inc.

BAS321/ZLF

stock de pièces: 9610

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 250mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 200mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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