Transistors - IGBT - Modules | Produits à semi-conducteurs discrets | 16

APTGL90DH120T3G

stock de pièces: 541

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Asymmetrical Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 110A, Puissance - Max: 385W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

stock de pièces: 556

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Dual Buck Chopper, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70A, Puissance - Max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

stock de pièces: 534

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Asymmetrical Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80A, Puissance - Max: 280W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

stock de pièces: 607

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Asymmetrical Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70A, Puissance - Max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

stock de pièces: 579

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Full Bridge Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 40A, Puissance - Max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

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Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

stock de pièces: 542

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Half Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 130A, Puissance - Max: 780W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

stock de pièces: 560

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Half Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 230A, Puissance - Max: 833W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

stock de pièces: 5334

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Boost Chopper, Full Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50A, Puissance - Max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

stock de pièces: 574

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Full Bridge Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50A, Puissance - Max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT70GR120J

stock de pièces: 2416

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Single, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 112A, Puissance - Max: 543W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

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Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

stock de pièces: 2286

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Single, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 84A, Puissance - Max: 417W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT200GN60J

stock de pièces: 2197

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Single, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 283A, Puissance - Max: 682W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

stock de pièces: 578

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Dual Boost Chopper, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70A, Puissance - Max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

stock de pièces: 3071

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Dual Boost Chopper, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 65A, Puissance - Max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

stock de pièces: 594

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Full Bridge Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 65A, Puissance - Max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

stock de pièces: 580

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Half Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 210A, Puissance - Max: 1041W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

stock de pièces: 540

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Half Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 135A, Puissance - Max: 568W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

stock de pièces: 546

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Dual Boost Chopper, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70A, Puissance - Max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

stock de pièces: 581

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Asymmetrical Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 110A, Puissance - Max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

stock de pièces: 600

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Half Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 210A, Puissance - Max: 961W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

stock de pièces: 546

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Asymmetrical Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 65A, Puissance - Max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

stock de pièces: 585

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Three Level Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 65A, Puissance - Max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

stock de pièces: 3077

Type d'IGBT: NPT, Configuration: Three Level Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 42A, Puissance - Max: 140W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

stock de pièces: 609

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Three Level Inverter - IGBT, FET, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50A, Puissance - Max: 90W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

stock de pièces: 524

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Three Level Inverter - IGBT, FET, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80A, Puissance - Max: 280W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

stock de pièces: 1322

Type d'IGBT: Trench Field Stop, Configuration: Single, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 215A, Puissance - Max: 625W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

stock de pièces: 530

Type d'IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuration: Full Bridge Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80A, Puissance - Max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

stock de pièces: 491

Type d'IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuration: Full Bridge Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100A, Puissance - Max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

stock de pièces: 539

Type d'IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuration: Boost Chopper, Full Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 80A, Puissance - Max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

stock de pièces: 546

Type d'IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuration: Full Bridge Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 75A, Puissance - Max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

stock de pièces: 476

Type d'IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuration: Full Bridge Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50A, Puissance - Max: 90W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

stock de pièces: 466

Type d'IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuration: Boost Chopper, Full Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 75A, Puissance - Max: 270W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

stock de pièces: 528

Type d'IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuration: Boost Chopper, Full Bridge, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 40A, Puissance - Max: 156W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

stock de pièces: 540

Type d'IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuration: Full Bridge Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 40A, Puissance - Max: 156W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

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Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

stock de pièces: 546

Type d'IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuration: Full Bridge Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 600V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150A, Puissance - Max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

stock de pièces: 487

Type d'IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuration: Full Bridge Inverter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 1200V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 25A, Puissance - Max: 115W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

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