Diodes - Redresseurs - Simples

Domicile
Diodes - Redresseurs - Simples

Microsemi Corporation

1N4608

stock de pièces: 35774

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 85V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 400mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 10ns,

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Microsemi Corporation

1N5802US

stock de pièces: 5841

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 875mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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Microsemi Corporation

1N5618

stock de pièces: 11093

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

1N5417US

stock de pièces: 5134

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 9A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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Microsemi Corporation

1N6621US

stock de pièces: 4465

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 440V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 1.2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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Microsemi Corporation

1N6392

stock de pièces: 1292

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 54A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 820mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N5418

stock de pièces: 7362

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 9A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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Microsemi Corporation

1N5614US

stock de pièces: 8563

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

1N5553US

stock de pièces: 5530

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 9A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

1N4150-1

stock de pièces: 35775

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 200mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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Microsemi Corporation

1N5553

stock de pièces: 6439

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 9A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

1N6640US

stock de pièces: 6262

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 75V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 300mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 200mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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Microsemi Corporation

1N6622

stock de pièces: 5407

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.4V @ 1.2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 45ns,

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Microsemi Corporation

1N5804US

stock de pièces: 6351

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 875mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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Microsemi Corporation

1N5552

stock de pièces: 6290

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 9A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

1N6080

stock de pièces: 1677

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 37.7A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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Microsemi Corporation

1N3595US

stock de pièces: 5411

Type de diode: Standard, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 200mA, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 3µs,

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Microsemi Corporation

1N5616US

stock de pièces: 8604

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

1N3611

stock de pièces: 7627

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N5619US

stock de pièces: 6582

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 250ns,

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Microsemi Corporation

1N914UR

stock de pièces: 24811

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 75V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 50mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 20ns,

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Microsemi Corporation

1N5619

stock de pièces: 9843

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 250ns,

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Microsemi Corporation

1N5416US

stock de pièces: 5319

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 9A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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Microsemi Corporation

1N5807

stock de pièces: 6580

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 875mV @ 4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 30ns,

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Microsemi Corporation

1N5554

stock de pièces: 6400

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 9A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

1N5711-1

stock de pièces: 7979

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 70V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 33mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 15mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Microsemi Corporation

1N5620

stock de pièces: 10754

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

1N5550

stock de pièces: 7965

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 9A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

1N5822US

stock de pièces: 643

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N5420

stock de pièces: 7260

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 9A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 400ns,

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Microsemi Corporation

1N4153-1

stock de pièces: 33607

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 150mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 880mV @ 20mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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Microsemi Corporation

1N4454UR-1

stock de pièces: 17774

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 10mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 4ns,

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Microsemi Corporation

1N5617US

stock de pièces: 7304

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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Microsemi Corporation

1N5614

stock de pièces: 11138

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 3A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

1N5417

stock de pièces: 7408

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 9A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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Microsemi Corporation

1N5617

stock de pièces: 10119

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.6V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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