Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB @ 500MHz, Puissance - Max: 273mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Fréquence - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Gagner: 7.5dB, Puissance - Max: 300W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.09GHz, Gagner: 6dB, Puissance - Max: 2900W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 48V, Fréquence - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Gagner: 9.3dB, Puissance - Max: 25W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Gagner: 21dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Gagner: 13dB ~ 15.5dB, Puissance - Max: 1.25W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Fréquence - Transition: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Gagner: 6.5dB, Puissance - Max: 1450W,
