Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | Produits à semi-conducteurs discrets | 1

MAX2601ESA+T

stock de pièces: 27552

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Gagner: 11.6dB, Puissance - Max: 6.4W,

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Maxim Integrated

MAX2601ESA-T

stock de pièces: 7213

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Gagner: 11.6dB, Puissance - Max: 6.4W,

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Maxim Integrated

MAX2601ESA+

stock de pièces: 17948

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Gagner: 11.6dB, Puissance - Max: 6.4W,

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Maxim Integrated

MAX2602ESA+

stock de pièces: 17619

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Gagner: 11.6dB, Puissance - Max: 6.4W,

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Maxim Integrated

MAX2602ESA-T

stock de pièces: 7183

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Gagner: 11.6dB, Puissance - Max: 6.4W,

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Maxim Integrated

MAX2602ESA+T

stock de pièces: 27102

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Gagner: 11.6dB, Puissance - Max: 6.4W,

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