Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, pr&eacut

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Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, pr&eacut

Infineon Technologies

BCR 162F E6327

stock de pièces: 1848

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

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BCR158WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR158WE6327HTSA1

stock de pièces: 1840

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 162 B6327

stock de pièces: 1887

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 158T E6327

stock de pièces: 1908

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 158L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 158L3 E6327

stock de pièces: 1838

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 158 B6327

stock de pièces: 1880

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 158F E6327

stock de pièces: 1870

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 153T E6327

stock de pièces: 1846

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

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BCR 153L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 153L3 E6327

stock de pièces: 1899

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 153F E6327

stock de pièces: 1847

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

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BCR 151L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 151L3 E6327

stock de pièces: 1890

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 100 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 100 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 151T E6327

stock de pièces: 1855

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 100 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 100 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 151F E6327

stock de pièces: 1827

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 100 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 100 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 149T E6327

stock de pièces: 1902

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR 149L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 149L3 E6327

stock de pièces: 1877

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 149F E6327

stock de pièces: 3262

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 148T E6327

stock de pièces: 1882

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR148WE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR148WE6327BTSA1

stock de pièces: 1902

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 148F E6327

stock de pièces: 3260

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 148L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 148L3 E6327

stock de pièces: 1913

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 148F B6327

stock de pièces: 1865

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 148 B6327

stock de pièces: 1911

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 146T E6327

stock de pièces: 1826

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 146L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 146L3 E6327

stock de pièces: 3245

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 146F E6327

stock de pièces: 1912

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR142WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR142WE6327HTSA1

stock de pièces: 1824

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 142L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 142L3 E6327

stock de pièces: 1858

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 142T E6327

stock de pièces: 1827

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR142B6327HTLA1

Infineon Technologies

BCR142B6327HTLA1

stock de pièces: 1896

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 142F E6327

stock de pièces: 1836

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 141T E6327

stock de pièces: 1866

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 141F E6327

stock de pièces: 1842

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 141L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 141L3 E6327

stock de pièces: 1865

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 139T E6327

stock de pièces: 1828

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR 139L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 139L3 E6327

stock de pièces: 1852

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 139F E6327

stock de pièces: 1851

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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